非晶镁铟锡氧薄膜晶体管的制备及退火对其性能的影响

• 作者: 张希清 王韬
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: MITO-TFT 氧化物半导体 迁移率 退火温度 退火氧气流量
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1539-1544
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173811.1539

摘要

为了优化镁铟锡氧薄膜晶体管(MITO-TFT)的性能,采用磁控溅射法制备MITO-TFT并分别研究了退火温度和退火气氛(O2流量)对器件性能的影响.实验结果表明,O2流量为400 cm3/min、退火温度为750℃的MITO薄膜为非晶态,且其对应薄膜晶体管有最佳性能,其饱和迁移率为12.66 cm2/(V·s),阈值电压为0.8 V,开关比达到107.适当的退火处理可以有效减少缺陷与界面态密度,并提高器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张希清	北京交通大学光电子技术研究所	4	15	3.0	3.0
2	王韬	北京交通大学光电子技术研究所	2	3	1.0	1.0