Cd组分x对非晶态Hg1-xCdxTe薄膜暗电导的影响

• 作者: 余连杰 史衍丽 李雄军 苏玉辉
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶态半导体 非晶态碲镉汞 暗电导 导电机制
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2683字
• 语种: 中文

摘要

利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜(x=O,0.22,0.50,0.66,1),在80 K～300K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响.当温度T＞210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T＜210K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210K时,暗电导几乎与Cd组分无关.这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致.a-Hg1-xCdxTe (x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高.在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	余连杰		24	105	6.0	8.0
4	苏玉辉		8	30	3.0	5.0