放电参量对射频容性耦合等离子体电子密度的影响

• 作者: 刘云辉 张昀 王权 王波 王荷军
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频容性耦合等离子体 朗缪双探针 电子密度 汞
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 测量与控制
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O461.1
• 字数: 2424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2017.04.06

摘要

为了提高射频容性耦合等离子体电子密度,研究放电参量对其的影响.通过采用朗缪双探针法诊断分析了放电气压、气体组分、射频功率以及掺Hg等放电参量对圆柱形射频容性耦合等离子体放电装置的电子密度的影响.结果表明:随放电气压的增加,电子密度呈现出先增大后减小的变化,在30Pa-550Pa下,电子密度随气压的增大而增加,在550Pa-650Pa下,电子密度随气压的增大而减小;往Ar中通入一定体积分数的He,有增加等离子体电子密度的影响,且当He的体积分数为15％时,电子密度最大;等离子体电子密度随射频功率的增大而增加;向Ar中掺少量的Hg,有明显增加等离子体电子密度的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王波	北京工业大学材料科学与工程学院	80	638	11.0	23.0
2	王荷军	北京工业大学材料科学与工程学院	4	2	1.0	1.0
3	王权	北京工业大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
4	张昀	北京工业大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0