钡钨扩散阴极中毒特性综述

• 作者: 于志强 张珂 李季 邵文生 高玉娟
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散阴极 阴极中毒
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性专题
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: TN103
• 字数: 4740字
• 语种: 中文

摘要

钡钨扩散阴极,尤其是是覆膜钡钨阴极,因为其出色的热电子发射能力以及良好的抗中毒能力,是当前大功率微波器件中应用最为广泛的热电子源.而阴极中毒,即非预期的阴极发射能力降低的现象是微波管生产与使用过程中出现概率最高的可靠性问题.本文主要就普通钡钨阴极及覆膜钡钨阴极的中毒表现进行介绍,并分析其过程,探讨中毒机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李季	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点试验室	23	100	5.0	8.0
2	于志强	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点试验室	12	40	4.0	5.0
3	高玉娟	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点试验室	15	55	4.0	6.0
4	邵文生	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点试验室	15	27	4.0	4.0
5	张珂	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点试验室	4	9	2.0	2.0