基于SiC MOSFET的辅助变流器应用研究

• 作者: 李志坚 武晶晶 游小杰 谢佳季 郭希铮
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 辅助变流器 无源器件 驱动电路 损耗模型
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 67-76,178
• 页数: 11页
• 分类号: TM922
• 字数: 5277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2017.2.067

摘要

辅助变流器是轨道交通车辆的重要部件,采用SiC MOSFET作为开关器件能整体提升变流器功率密度.将原有变流器系统完成以SiC MOSFET为开关器件的功率模块整体替代,对周边无源器件进行优化设计;根据SiC MOSFET器件特性设计一款驱动电路,并进行性能测试;针对辅助变流器主电路拓扑,建立各部分损耗模型,通过仿真进行验证,并对前后系统进行损耗对比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游小杰	北京交通大学电气工程学院	102	1319	18.0	35.0
2	郭希铮	北京交通大学电气工程学院	23	90	5.0	9.0
3	武晶晶	北京交通大学电气工程学院	2	5	1.0	2.0
4	李志坚	北京交通大学电气工程学院	2	5	1.0	2.0
5	谢佳季	北京交通大学电气工程学院	1	5	1.0	1.0