Si3N4掺杂氮化对Sr3SiO5:Eu2+荧光粉发光性能的影响

• 作者: 宋开新 张双双 张建新 田文郁 秦会斌
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sr3SiO5:Eu2+ 荧光粉 Si3N4
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 252-256
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 3217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160327

摘要

采用高温固相法制备Si3N4掺杂氮化Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉.采用XRD、EDS和SEM测试结果表明:N3-进入Sr3SiO5基质晶格中取代部分O2-离子,形成了单一相Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+固溶体.PL&PLE荧光光谱测试结果显示,Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉在344nm紫外光的激发下发射出红橙光,属于Eu2+离子典型的4f65d1→4f7电子跃迁.随着N浓度的增加,Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉发射光谱和激发光谱的强度明显增强.热稳定性测试结果表明,Si3N4掺杂氮化能够显著提高Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的热稳定性.通过Arrhennius模型拟合结果表明横向穿越过程(crossover)引起的Sr3SiO5:Eu2+荧光粉氮化前后的温度猝灭.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦会斌	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	237	1329	17.0	25.0
2	张双双	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	3	3	1.0	1.0
3	田文郁	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	1	1	1.0	1.0
4	张建新	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	1	1	1.0	1.0
5	宋开新	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	16	60	5.0	7.0