一种低功耗CMOS过温保护电路的设计

• 作者: 冯全源 李树镇
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 过温保护 低功耗 温度阈值 负温度系数 迟滞量
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 14-17,22
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.201605011

摘要

针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0．18μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。 Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3～5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1．75℃和0．05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	李树镇	西南交通大学微电子研究所	2	10	2.0	2.0