有机场效应晶体管的非线性注入模型

• 作者: 何兰 吕文理 彭应全 李尧 范国莹 韦一
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机场效应晶体管 非线性输出特性 阈值电压 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1523-1531
• 页数: 9页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 4757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173811.1523

摘要

有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见.Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关.本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭应全	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	30	95	6.0	8.0
3	韦一	中国计量大学光学与电子科技学院	11	23	2.0	4.0
4	范国莹	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	3	2	1.0	1.0
5	李尧	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	3	3	1.0	1.0
6	何兰	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
7	吕文理	中国计量大学光学与电子科技学院	1	0	0.0	0.0