SOI基级联双微环滤波器研究

• 作者: 牛斌 郁鑫鑫 顾晓文
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘衬底上硅 微环谐振器 光栅耦合 可调谐
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 104-107,111
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.19453/j.cnki.1005-488x.2017.02.006

摘要

研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能.采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74 μm.测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238 nm,1 550 nm波长附近的抑制比大于10 dB.通过对微环谐振器进行热调谐,在0～4 V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性.