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摘要:
设计并制备了110V GaN基交流高压LED芯片,阐述了其制作的关键工艺,并通过I-U-L曲线,近场光型等手段进行表征,该芯片具有良好的光电性能,通过两并两串方式封装在陶瓷支架并匹配相应的限流电阻组装成灯具,对比测试了灯具初态和稳态下的光电参数.
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文献信息
篇名 GaN基交流高压大功率LED芯片及其灯具的研制
来源期刊 照明工程学报 学科 工学
关键词 氮化镓 发光二极管 交流高压芯片 大功率
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 半导体照明技术与应用
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TN312+8
字数 2157字 语种 中文
DOI 10.3969∕j.issn.1004-440X.2017.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪延明 7 3 1.0 1.0
2 苗振林 8 4 1.0 1.0
3 何鹏 2 1 1.0 1.0
4 季辉 2 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
发光二极管
交流高压芯片
大功率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
照明工程学报
双月刊
1004-440X
11-3029/TM
16开
北京市朝阳区大北窖南厂坡甲3号南楼二层
80-436
1992
chi
出版文献量(篇)
3076
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7
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15260
论文1v1指导