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摘要:
由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr(o)dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/MgxZn1-xO有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.
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文献信息
篇名 缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响
来源期刊 物理学报 学科
关键词 ZnO缓冲层 ZnO/MgxZn1-xO量子阱二能级系统 电子子带间跃迁 三元混晶
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 376-381
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.66.077301
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 班士良 内蒙古大学物理科学与技术学院 58 198 8.0 9.0
2 屈媛 内蒙古大学物理科学与技术学院 7 27 3.0 5.0
3 李群 内蒙古大学物理科学与技术学院 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO缓冲层
ZnO/MgxZn1-xO量子阱二能级系统
电子子带间跃迁
三元混晶
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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