高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

• 作者: 李斌 毛开礼 王利忠 王英民 高德平 魏汝省
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯半绝缘4H-SiC 物理气相传输法 SIMS 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|O78
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.01.002

摘要

采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标.对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)测试,B和N的浓度相应降低1个和2个数量级.采用非接触电阻率测试仪测试晶圆的电阻率均大于4×109Ω·cm;红外透射谱测试结果表明,波数2500~4200 cm-1超过78%的透过率.显微拉曼光谱测试晶圆的4H-SiC晶型面积为100%.结果表明,该方法不仅降低晶体中的B和N等杂质浓度,并成功地制备出直径100 mm的高纯半绝缘4H-SiC单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利忠		1	1	1.0	1.0
2	王英民		4	6	1.0	2.0
3	李斌		3	2	1.0	1.0
4	魏汝省		1	1	1.0	1.0
5	毛开礼		3	5	1.0	2.0
6	高德平		1	1	1.0	1.0