强电场对NiO电子结构性质的影响

• 作者: 余小英 张忻 张飞鹏 彭金云 房慧 李凡生
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 化学
• 关键词: 光电子学 立方氧化镍 强电场 电子结构
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 106-112
• 分类号: O649
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2017.01.017

摘要

基于平面波密度泛函理论研究了电场强度为10 V.nm-1下立方结构氧化镍的电子结构性质.结果表明:立方相氧化镍在电场强度10 V·nm-1下呈现导体的能带结构,价带上移到导带,态密度谱图在多个能量取得最值,局域化效应增强,费米能级附近的态密度增大为原系统的2倍多.费米能级上的载流子浓度由4 e/eV增大到15 e/eV,这源于Op、Nis、Nid态对费米面的贡献.强电场下的电子在不同量子状态之间显示了明显的转移,介电函数计算表明强电场下体系在0.32 eV附近具有最大的吸收,吸收峰峰值66.89.强电场明显调控了NiO的电学、光学和场致光吸收性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张忻	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	52	194	6.0	12.0
2	彭金云	广西民族师范学院化学与生物工程系	36	76	5.0	7.0
3	余小英	广西民族师范学院物理与电子工程系	35	51	4.0	6.0
4	李凡生	广西民族师范学院物理与电子工程系	41	60	4.0	6.0
5	房慧	广西民族师范学院物理与电子工程系	26	22	2.0	4.0
6	张飞鹏	河南城建学院数理学院建筑光伏一体化河南省工程实验室	35	75	5.0	6.0