GaN外延用蓝宝石衬底的图形化研究进展

• 作者: 冯志红 房玉龙 杨瑞霞 王波 郭艳敏 马文静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底 刻蚀 GaN基LED 内量子效率 光提取效率
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 801-812,819
• 页数: 13页
• 分类号: TN304.23|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.11.001

摘要

因蓝宝石具有良好的稳定性能,且其生产技术成熟,是目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一.采用图形化蓝宝石衬底技术可以降低GaN外延层材料的位错密度,提高LED的内量子效率,同时提高LED出光效率提高,近年来引起了国内外的广泛关注.概述了图形化蓝宝石衬底的研究进展,包括图形化蓝宝石衬底的制备工艺、图形尺寸、图形形状及图形化蓝宝石衬底的作用机理;详细介绍了凹槽状、圆孔状、圆锥形、梯形和半球状5种图形形状,并分析了GaN材料在不同图形形状的图形化蓝宝石衬底上的生长机理及不同图形形状对GaN基LED器件性能的影响.对图形化蓝宝石衬底技术的研究方向进行了展望,提出了亟待研究和解决的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	180	759	13.0	18.0
2	王波	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	71	5.0	7.0
3	马文静	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	15	3	1.0	1.0
4	郭艳敏		3	2	1.0	1.0
5	房玉龙		15	24	2.0	3.0
6	冯志红		38	81	5.0	5.0