基于多晶硅填充的TSV工艺制作

• 作者: 何凯旋 王文婧 王鹏
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS TSV ICP刻蚀 LPCVD 无缝填充 绝缘特性
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TP393
• 字数: 1332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2017.01.012

摘要

硅通孔( TSV)技术用于MEMS器件可实现器件结构的垂直互联，达到减小芯片面积、降低器件功耗等目的。对TSV结构的刻蚀和填充工艺进行了研究，通过优化ICP刻蚀工艺参数获得了端口、中部、底部尺寸平滑减小、深宽比大于20∶1的硅通孔；利用LPCVD技术实现了基于多晶硅的通孔无缝填充；经测试，填充后通孔绝缘电阻达10 GΩ以上，电绝缘性能良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文婧		1	2	1.0	1.0
2	何凯旋		2	5	2.0	2.0
3	王鹏		1	2	1.0	1.0