氮化镓基谐振腔发光二极管发展近况

• 作者: 李建军 王元诚 王梦欢 王海阔 袁泽旭 邓军 邹德恕 韩军
• 来源期刊: 光电子
• 学科: 工学
• 关键词: 共振腔 发光二极管 氮化镓 提取效率
• 年，卷（期）: gdz_2017,（4）
• 页码范围: 127-140
• 页数: 14页
• 分类号: TN3

摘要

共振腔发光二极管(Resonant Cavity Light emitting Diodes, RCLED)可视为垂直腔发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSELs)与传统发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)二者的结合,具备了传统发光二极管(LED)和垂直腔面激光器(VCSEL)两者的优点。相比于传统LED,RCLED出射的光具有更大的光强、提取效率和调制带宽,以及更好的方向性、光谱纯度和温度可靠性。近年来,国际上出现了许多针对砷化镓基红光波段、氮化镓基蓝绿光波段、近紫外波段的垂直腔发光二极管的相关报道,这些研究成果对于工业、医疗、通讯等领域非常有吸引力。然而,对于该方面研究工作的概述类文章却很少。本文主要对近年来以GaN为基础的蓝光波段RCLED发展情况进行概述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	57	219	7.0	10.0
2	韩军	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	39	181	7.0	11.0
3	李建军	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	52	234	7.0	12.0
4	邹德恕	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	58	270	10.0	12.0
5	王海阔	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	3	1.0	1.0
6	王元诚	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	3	1.0	1.0
7	王梦欢	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
8	袁泽旭	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0