直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述

• 作者: 刘丁 赵小国 赵跃
• 来源期刊: 控制理论与应用
• 关键词: 直拉硅单晶 过程建模 变量检测 过程控制 控制策略
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1-12
• 页数: 12页
• 分类号: TP273
• 语种: 中文
• DOI: 10.7641/CTA.2017.60247

摘要

硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.本文针对直拉法电子级硅单晶生长过程,以晶体生长基本原理为基础,从生长建模、变量检测、控制方法等方面进行了全面的阐述,特别针对当今大尺寸、高品质硅单晶生长的要求,总结了目前所取得的主要研究成果与面临的问题,并提出了相应的研究思路和方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	196	3213	31.0	45.0
2	赵跃	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	19	130	8.0	10.0
3	赵小国	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	2	16	2.0	2.0