还原炉内炽热多晶硅电阻率的测定与计算

• 作者: 杨楠 王邵南 詹水华
• 来源期刊: 云南化工
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 炽热 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 分析测试
• 页码范围: 82-84
• 页数: 3页
• 分类号: TQ110.6
• 字数: 1123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-275X.2017.07.028

摘要

在实际生长过程中,控制硅棒表面温度在1050℃±20℃的范围内,测定了生长过程中直径在Φ25mm~Φ130mm时所对应的电压U和电流I值.在此基础上,计算了多晶硅的电阻率σ约为0.00905Ω.cm.同时通过数据分析与拟合,对文献中σ-T曲线在≥700℃范围内进行了公式推导,发现当温度升高到杂质饱和电离温度后,σ与1/T成线性关系,并计算了1050℃时的电阻率为0.00973Ω.cm,与实测值相对误差仅6.99%,结果可供还原炉UI曲线设计时参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨楠		8	11	2.0	2.0
2	王邵南		1	1	1.0	1.0