铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

• 作者: 李明 段淑卿 虞勤琴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝焊垫 俄歇电子能谱 荷电效应 表面分析 样品处理
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 74-80
• 页数: 7页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.013

摘要

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果.铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提.从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程.结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明		9	19	3.0	3.0
2	段淑卿		6	12	2.0	3.0
3	虞勤琴		5	6	2.0	2.0