基于GaN HEMT的100～1000MHz 100W宽带功率放大器设计

• 作者: 侯钧 蒋超 闫磊
• 来源期刊: 电子信息对抗技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 传输线变压器(TLT) VHF/UHF,宽带功率放大器
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 工程应用
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.1
• 字数: 2622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2230.2017.05.015

摘要

基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TET,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器.采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100～1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 dB,PAE ≥40.3％,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器.适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫磊		2	1	1.0	1.0
2	蒋超		2	1	1.0	1.0
3	侯钧		1	0	0.0	0.0