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摘要:
基于0.18 μ m BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁.采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的行扫描电路.在HHNEC 0.18μ rn BCD工艺平台上完成芯片试制,芯片功能正确,验证了提出的电平转换电路结构的可行性.
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文献信息
篇名 一种基于BCD工艺的TFT-LCD行驱动电路的设计
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 集成电路设计 行扫描电路 TFT-LCD屏 电平转换电路 BCD工艺 栅击穿
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 16-20
页数 5页 分类号 TN402|TN944
字数 3618字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.07.004
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作者信息
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路设计
行扫描电路
TFT-LCD屏
电平转换电路
BCD工艺
栅击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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