微量磷硅对压延铜箔再结晶行为的影响

• 作者: 孙克斌 张县委 彭勇宜 李周 田原晨
• 来源期刊: 有色金属科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 压延铜箔 再结晶 磷 硅
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 冶金·材料
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TF125.211
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13264/j.cnki.ysjskx.2017.06.003

摘要

利用力学和电学性能测试、金相观察、电子背散射衍射(EBSD)分析等手段研究不同磷(P)、硅(Si)杂质含量对纯铜箔材再结晶行为的影响.轧态铜箔的晶粒沿轧制方向被拉长,呈现明显的加工纤维组织,以小角度晶界、亚晶界为主.P和Si元素含量对压延纯铜箔的再结晶行为影响显著,160℃/h退火后,P和Si杂质元素含量较高的压延铜箔呈现部分再结晶组织,而P和Si杂质元素含量较低的压延铜箔为完全再结晶组织,取向差大于60°的大角度晶界占比明显增加,以完整晶粒、大角度晶界为主要特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李周	中南大学材料科学与工程学院	138	1258	18.0	27.0
2	彭勇宜	中南大学物理与电子学院	28	132	7.0	10.0