Ag、Cu微掺杂对Au纳米线熔断时间和熔断位置的影响

• 作者: 任蕾 张弦 李贻丹 胡雪晨 高廷红
• 来源期刊: 现代物理
• 学科: 工学
• 关键词: Au纳米线 熔断过程 熔断时间 分子动力学模拟
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 175-182
• 页数: 8页
• 分类号: TB3

摘要

随着高精密仪器设备对熔断器要求的不断增加,设计高精度熔断器成为研究重点。本文基于分子动力学模拟方法,研究Ag、Cu原子掺杂对Au纳米线熔断时间的影响和熔断位置的调控机制。统计分析了不同掺杂形式对Au纳米线熔断时间的影响,结合可视化技术研究熔断过程的微观结构变化情况。研究结果表明:单原子掺杂会一定程度缩短熔断时间,但不会对熔断位置产生明显影响。三层Ag或Cu原子掺杂对纳米线的熔断时间具有较大影响,明显降低了熔断时间。三层Ag、Cu原子掺杂对纳米线熔断位置的影响截然不同,Ag掺杂纳米线的熔断位置出现在掺Ag区域,而Cu掺杂纳米线的熔断位置远离掺Cu区域。Ag和Cu掺杂能够向相反方向调控纳米线的熔断位置,这对设计高精度熔断器意义重大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高廷红	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	14	35	3.0	5.0
2	张弦	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	3	0	0.0	0.0
3	胡雪晨	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	3	0	0.0	0.0
4	李贻丹	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	2	0	0.0	0.0
5	任蕾	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	5	2	1.0	1.0