半导体材料辐射效应的表征与分析

• 作者: 刘许强 曾光 杨娜 杨桂霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 辐射效应 表征 缺陷 宏观电效应
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 61-68
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.07
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.011

摘要

在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效.其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累.表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、分布等信息,是半导体材料辐射效应研究的重要内容.从辐射致缺陷微观形貌、结构特征,及其引起的宏观电效应三方面,归纳总结了几种重要的半导体材料辐射效应的表征和分析方法,分析了每种方法的优缺点及适用范围,并指出半导体材料辐射效应表征与分析技术发展的方向,可为电子器件、半导体材料辐射效应领域的研究人员提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨桂霞	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	8	22	3.0	4.0
2	曾光	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	4	7	1.0	2.0
3	刘许强	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	5	10	2.0	3.0
4	杨娜	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	2	1	1.0	1.0