烧结温度对反应烧结碳化硅组织与性能的影响

• 作者: 巫红燕 张国军 王伟春
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结 SiC 烧结温度 硬度 弯曲强度
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 342-346
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004

摘要

本文研究了1450、1550、1650℃不同烧结温度制备的反应烧结SiC材料的密度、硬度、抗弯强度、显微组织、显微硬度及断裂行为.结果表明:烧结温度对材料密度影响较小.低温反应烧结的SiC晶粒的晶体结构不够完整,存在亚晶界等缺陷,晶粒强度较低,烧结材料的硬度和抗弯强度较低.高温反应烧结的SiC晶粒的晶体结构完整性增加,晶粒强度较高,烧结材料的硬度和抗弯强度较高.因此为了提高反应烧结碳化硅的力学性能,应该适当提高烧结温度或延长烧结时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巫红燕	浙江机电职业技术学院材料技术系	1	3	1.0	1.0
2	张国军		1	3	1.0	1.0
3	王伟春	浙江机电职业技术学院材料技术系	5	4	1.0	2.0