外延厚度对CMOS倒相器闩锁特性的影响研究

• 作者: 邵红
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 外延厚度 闩锁特性 CMOS倒相器
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.005

摘要

CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应.如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁.一般从电路设计和版图设计两个方面可以减少闩锁效应的产生,同时在工艺方面采取措施可进一步降低闩锁效应,采用外延厚度的控制是比较有效的方式之一.通过外延技术降低衬底寄生电阻Rp的阻值,保证在大电流的情况下,减少寄生三极管导通概率,从而减少闩锁效应的发生.通过仿真验证,明确了外延厚度与CMOS倒相器闩锁特性的关系,获得了外延厚度的最佳值,在极限情况下,外延1.5μm CMOS倒相器抗闩锁能力比30μm外延高8.3倍左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵红		2	2	1.0	1.0