直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

• 作者: 吴培亨 孙国柱 康琳 曹春海 李永超 王海萍 许伟伟 陈健 陈志平
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 直流磁控溅射 TiN 超导临界温度 半高宽 晶格常数
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在高阻硅上室温生长TiN超导薄膜.制备了不同溅射功率、溅射气压以及N2/Ar比份条件下的样品.综合物性测量系统(PPMS)测出了样品的超导临界温度Tc在3.2～4.0K之间,给出了Tc与制备条件的关系.X射线衍射(XRD)分析测量了样品的(111)TiN衍射峰半高宽(FWHM)、晶格常数.原子力显微镜 (AFM)测量得到表面粗糙度(RES)最好为1.716 nm,且给出较高溅射功率有利于降低表面粗糙度.