Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质

• 作者: 吴宏仙 廖杨芳 房迪 王善兰 肖清泉 袁正兵 谢泉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射法 Al掺杂 Mg2Si薄膜 电阻率 晶体结构
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.009

摘要

采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析.结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg2Si (220)面具有择优生长性.随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58％时结晶度最好.此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义.