N掺杂位置对四方相PbTiO3电子结构和光学性能的影响

• 作者: 李宏光 闫金良
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸铅 N掺杂 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 14-18
• 分类号: TN304.2|O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.01.004

摘要

用第一性原理计算了N掺杂四方相钛酸铅的结构参数、形成焓、电子结构和光吸收,研究了N掺杂位置对钛酸铅性能的影响.N掺杂钛酸铅是典型的p型半导体,杂质能级主要由N 2p态贡献.N替位O(1)位置与N替位O(2)位置钛酸铅的形成焓差值很小.N替位O(1)位置钛酸铅在价带顶出现两条交互的杂质能级,N替位O(2)位置的钛酸铅在价带顶出现两条分离的杂质能级.N替位O(1)位置的钛酸铅的相对空穴数是1.729,N替位O(2)位置的钛酸铅相对空穴数为1.327.与N替位O(1)位置钛酸铅相比,N替位O(2)位置钛酸铅在300nm到1400nm区域光吸收强度明显增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理与光电工程学院	25	100	5.0	8.0
2	李宏光	鲁东大学信息与电气工程学院	10	15	2.0	3.0