有源层表面性质对晶硅电池暗I-V特性的影响

• 作者: 吕航 宋扬 张宇峰 张金晶 王泽来 赵洋 陆晓东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 晶硅电池 暗I-V特性曲线 理想因子 总电流密度 缺陷态 有限差分
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-56,71
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 5554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.01.010

摘要

利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷，且三者起施主型和受主型陷阱作用时，正向偏压下的晶硅电池暗I-V特性曲线与理想二极管I-V特性曲线相同，但当正向偏压大于PN开启电压0.59 V，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线，且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大；当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线；就对暗I-V特性曲线的影响而言，复合中心最大，施主型次之，受主型最小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
2	张金晶	渤海大学新能源学院	12	5	1.0	1.0
3	张宇峰	渤海大学新能源学院	19	5	2.0	2.0
4	吕航	渤海大学新能源学院	10	18	3.0	3.0
5	赵洋	渤海大学新能源学院	20	24	3.0	4.0
6	王泽来	渤海大学新能源学院	17	16	3.0	3.0
7	宋扬	渤海大学新能源学院	8	3	1.0	1.0