基于MEMS技术MOSFETs硅桥结构磁传感器特性仿真与制作工艺

• 作者: 庄萃萃 温殿忠 赵晓锋 邓祁 金晨晨
• 来源期刊: 黑龙江大学工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅桥结构 MOSFET 磁传感器 ANSYS仿真
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 电子工程与计算机科学
• 页码范围: 50-55
• 页数: 6页
• 分类号: TP212
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13524/j.2095-008x.2017.03.041

摘要

给出一种MOSFETs硅桥结构磁传感器,在方形硅膜上表面的不同位置设计4个p-MOS-FETs,沟道电阻构成惠斯通电桥结构,并在方形硅膜上表面中央位置制作铁磁材料.通过采用ANSYS有限元软件建立磁传感器仿真模型,仿真结果表明,外加磁场作用下,铁磁材料受到磁场力,使硅膜发生弹性形变,产生桥路输出电压,实现对外加磁场的检测.基于仿真结果,采用CMOS工艺和MEMS技术设计、 制作MOSFETs硅桥结构磁传感器,实验结果表明,当工作电压为1.0 V时,满量程输出为0.69 mV,灵敏度为1.54 mV/T,准确度为3.76%F.S..

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学电子工程学院	51	330	10.0	15.0
2	赵晓锋	黑龙江大学电子工程学院	27	123	8.0	10.0
3	邓祁	黑龙江大学电子工程学院	3	2	1.0	1.0
4	金晨晨	黑龙江大学电子工程学院	1	2	1.0	1.0
5	庄萃萃	黑龙江大学电子工程学院	1	2	1.0	1.0