一种MTM反熔丝器件的击穿特性

• 作者: 田敏 钟汇才 龙煌
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反熔丝 金属-金属(MTM) 击穿电压 时变击穿(TDDB) E模型 可靠性
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 293-296,318
• 页数: 5页
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.05.001

摘要

制备了一种基于高介电常数材料氧化铪(HfO2)薄膜作为核心绝缘介质层的金属-金属(MTM)反熔丝单元结构.基于此结构,使用钛(Ti)和氮化钛(TiN)分别作为MTM反熔丝结构中的过渡层和阻挡层,得到了致密、均匀、无针孔缺陷以及上下电极接触良好的反熔丝单元.讨论了反熔丝单元的击穿过程及击穿现象,并重点研究了该结构的击穿特性和时变击穿(TDDB)特性.研究结果表明,此结构不仅具有良好的工艺一致性和较低的击穿电压(4.3 V),并且工作电压(1.8 V)下的时变击穿时间超过13年.其结构可以进一步应用于反熔丝型现场可编程逻辑阵列(FPGA)的互连结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟汇才	中国科学院微电子研究所	12	15	2.0	3.0
2	田敏	中国科学院微电子研究所	5	4	1.0	2.0
6	龙煌	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0