有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响

• 作者: 刘俊杰 刘玉岭 牛新环 王如
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 有机胺碱 铜膜 化学机械抛光 一致性
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.007

摘要

有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件.研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响.首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影响,然后在直径3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上模拟了不同体积分数有机胺碱对铜去除速率的影响.实验结果表明:有机胺碱对抛光液中磨料粒径和Zeta电位没有影响;随着有机胺碱体积分数的增加,铜的去除速率先快速增加,达到一峰值后趋于稳定,最后略有下降;当有机胺碱的体积分数为5％时,TSV图形片铜膜去除速率达到最高值2.1tμm/min,剩余铜膜总厚度差减小到1.321 76 nm,实现了纳米级的化学机械抛光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
5	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
9	王如	河北工业大学电子信息工程学院	44	252	8.0	14.0
13	刘俊杰	河北工业大学电子信息工程学院	12	36	3.0	5.0