SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型

• 作者: 施博辰 朱义诚 王旭东 赵争鸣
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC功率器件 瞬态模型 开关特性 开关损耗
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 大容量电力电子混杂系统多时间尺度动力学表征与运行机制专题
• 页码范围: 58-69
• 页数: 12页
• 分类号: TM464
• 字数: 7207字
• 语种: 中文

摘要

相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性,对其瞬态建模的精度提出更高的要求.通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦,突出器件开关特性,弱化物理机理,简化瞬态过程分析,建立基于SiC MOSFET与SiC SBD的换流单元瞬态模型.理论计算结果与实验结果对比表明,该模型能够较为精细地体现SiC MOSFET开关瞬态波形且能够较为准确地计算SiC MOSFET开关损耗.该模型参数可全部由数据手册提取,有较强的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵争鸣	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	136	3162	31.0	53.0
2	王旭东	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	14	22	2.0	4.0
3	施博辰	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	8	0	0.0	0.0
4	朱义诚	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	8	0	0.0	0.0