原文服务方: 辐射防护       
摘要:
绝缘体上硅(SOI)硅微剂量测量系统可以通过测量中子和伽马混合辐射场的线能谱来获取不同类型辐射的剂量当量贡献.本文根据SOI硅微剂量探测器物理设计,采用GEANT4软件建模对Cf-252中子和伽马混合辐射场及Co-60伽马辐射线能谱测量进行蒙特卡罗模拟,并进一步分析了SOI探测器转换层对伽马线能谱测量的影响.结果表明,SOI硅微剂量探测器能够区分中子和伽马的剂量贡献,并且伽马线能谱峰值随着转换层厚度发生变化,有可能利用该特性实现不同贯穿深度下伽马辐射剂量贡献的测量.模拟分析结果可为SOI硅微剂量探测器设计及应用提供参考.
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文献信息
篇名 SOI硅微剂量探测器对中子和伽马辐射场线能谱测量的GEANT4模拟研究
来源期刊 辐射防护 学科
关键词 SOI 硅微剂量探测器 线能谱 剂量当量 GEANT4 混合场
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 剂量学基础
研究方向 页码范围 169-173
页数 5页 分类号 TL814|TL72
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宗鹏飞 2 2 1.0 1.0
2 刘书焕 15 33 4.0 5.0
3 雷鸣 8 1 1.0 1.0
4 刘兵 5 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SOI
硅微剂量探测器
线能谱
剂量当量
GEANT4
混合场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
辐射防护
双月刊
1000-8187
14-1143/TL
大16开
1976-01-01
chi
出版文献量(篇)
1610
总下载数(次)
0
总被引数(次)
7994
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