氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响

• 作者: 张三洋 李玉芳 李金泽 杨家乐 沈鸿烈 蒋晔 邢正伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 直流磁控溅射 氮气流量 透过率 光学性能 室温
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 32-36,42
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.92|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.006

摘要

AlN薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点.采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜.利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能.结果表明随着氮气流量的增加,AIN薄膜质量变好,N2流量为8 cma/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm-1处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜.在300～ 900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94％;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV.