ITO薄膜方块电阻值在低温下随温度的变化关系

• 作者: 丁慧林 张勇 彭继 赵松 赵玉冬 陈召全
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡薄膜 温度 方块电阻值
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 186-190,199
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.19453/j.cnki.1005-488x.2017.03.006

摘要

探讨低温下的ITO薄膜方块电阻值随温度的变化关系,为军用特种显示器在极端低温环境下的加热功耗设计提供理论依据.通过测量ITO薄膜加热器电极电阻值随温度的变化量,研究温度(低温)对ITO薄膜导电性能的影响.实验结果表明:ITO薄膜的导电性能在低温下随着温度的降低而提高;低温下的ITO薄膜方块电阻值与温度之间呈一元二次函数关系变化;ITO薄膜的膜层越厚,低温下其方块电阻值降低越明显,导电性越高;当环境温度由常温(25℃)降至-50℃时,几种不同膜厚的ITO薄膜方块电阻值分别平均降低5.55％、5.01％和2.77％,对应的功耗平均增加5.88％、5.28％和2.85％.该试验结果为军用特种显示器在极端低温环境下的加热功耗设计提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇		2	0	0.0	0.0
2	彭继		3	0	0.0	0.0
3	赵松		4	1	1.0	1.0
4	丁慧林		2	0	0.0	0.0
5	赵玉冬		7	10	2.0	3.0
6	陈召全		5	2	1.0	1.0