脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

• 作者: 何欢 刘宇伦 唐子媚 沈晓明 符跃春 翁瑶 莫祖康 谢武林 陆珊珊 鲁姣
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 太阳电池 PLD 膜厚分布
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 功能材料与计算模拟
• 页码范围: 556-560,567
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13656/j.cnki.gxkx.20171228.003

摘要

[目的]探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性.[方法]在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚.[结果]当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显.靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多.[结论]PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布.