微结构半导体中子探测器研究进展

• 作者: 李振 沈志辉 甘雷
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 中子探测 微结构 替代3He
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 核物理、粒子物理、射线束与探测技术
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TL816
• 字数: 3116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.020201

摘要

介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展.可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响.微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代3He正比计数管的理想器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李振	中国工程物理研究院中子物理学重点实验室	1	2	1.0	1.0
2	沈志辉	中国工程物理研究院中子物理学重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	甘雷	中国工程物理研究院中子物理学重点实验室	1	2	1.0	1.0