GaAs平面掺杂势垒二极管

• 作者: 于浩 宁吉丰 张宇 杨中月 杨实 车相辉 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TN315.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.005

摘要

二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压.而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器.设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长.对PDB二极管的物理模型进行了理论分析.通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响.通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20～ 25 mV/mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
2	杨中月	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	3	1.0	1.0
3	张宇	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	32	4.0	5.0
4	于浩	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	2	1.0	1.0
5	车相辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	4.0	4.0
6	宁吉丰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	8	2.0	2.0
7	杨实	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0