40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

• 作者: 孙静 徐玉婷 郭俊杰 闫华
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 40nm FPGA 总剂量辐射 试验
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 42-44,47
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1192字
• 语种: 中文

摘要

对自主研发的40 nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40 nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100 krad(Si),说明普通商用40 nm工艺本身具有一定的抗总剂量性能.同时验证了总剂量辐射引起的器件参数退化随栅氧化层厚度的减薄而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫华		7	13	2.0	3.0
2	徐玉婷		4	2	1.0	1.0
3	孙静		1	0	0.0	0.0
4	郭俊杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	1	1.0	1.0