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摘要:
采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性.选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10 Ω以内.利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失.
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文献信息
篇名 集成式等效低压二极管
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 二极管 集成 低漏电 低动态电阻 等效
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 半导体器件
研究方向 页码范围 23-26,31
页数 5页 分类号 TN311
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张常军 1 0 0.0 0.0
2 王英杰 4 0 0.0 0.0
3 邓晓虎 1 0 0.0 0.0
4 刘晓刚 1 0 0.0 0.0
5 王明辉 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
二极管
集成
低漏电
低动态电阻
等效
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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