多晶硅光伏组件电位诱导衰减(PID)研究

• 作者: 侯宝峰
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电位诱导衰减 光伏组件 多晶硅 功率衰减
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 356-358,363
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 3555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.06.013

摘要

为解决目前多晶体硅太阳能电池组件在电站大规模应用中出现的PID现象,通过采用常规PECVD镀膜工艺多晶硅电池片和抗PID镀膜工艺多晶硅电池片,以及EVA和聚烯烃材料(PO)组合制备了4种组件,在高于IEC62804规定的实验条件下进行PID试验.研究分析了4种不同组件的PID实验前后性能的变化.结果表明,采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片组件能够改善组件抗PID性能,但是效果不明显.采用聚烯烃材料(P0)代替EVA,可以明显改善组件的抗PID性能.同时采用减反膜折射率2.16的抗PID电池片和聚烯烃材料(PO)制备的组件抗PID性能效果最好,最大功率衰减为9.51％.PID实验对组件的电性能有影响,对外观结构没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯宝峰		1	1	1.0	1.0