电压衬度在CMOS集成电路失效分析中的应用

• 作者: 马香柏
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电压衬度 二次电子 失效分析
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.05.015

摘要

电压衬度(Voltage Contrast,vc)是CMOS集成电路失效分析的一种有效方法.电压衬度主要利用二次电子的发射效率与样品表面电势相关的原理.通过数据分析、电学测试等流程缩小搜索范围,再利用电压衬度原理进一步缩小范围,通过FIB精准定位缺陷并进行剖析,最终找到失效根源.作者探讨电压衬度原理,并通过具体案例,对电压衬度分析在扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)以及聚焦离子束(Focused Ion beam,FIB)的运用作了详细阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马香柏		2	3	1.0	1.0