异形构件化学气相沉积SiC涂层的数值模拟

• 作者: 付前刚 孙国栋 李贺军 李辉
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC涂层 化学气相沉积 数值模拟 异形构件
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 结构、材料与工艺
• 页码范围: 232-238
• 页数: 7页
• 分类号: TB323
• 字数: 4790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7673/j.issn.1006-2793.2017.02.018

摘要

根据化学气相沉积(CVD)工艺制备SiC陶瓷涂层的工艺特点和典型异形构件的结构特点,建立了异形构件表面化学气相沉积SiC涂层的数学模型.利用该模型,对CVD法在典型异形表面制备SiC涂层进行了数值计算和分析.计算结果显示,带有斜面的构件对CVD SiC沉积过程有显著影响,在反应器大小允许的情况下,构件放置时,斜面与水平面的夹角越小越好,并尽可能将构件长的一面与水平面平行,这样有利于沉积的涂层均匀.此外,对于带有台阶的构件来说,正放的构件表面浓度大于倒放的构件,而浓度梯度则小于倒放的构件.因此,在实际应用中,应尽量使台阶部分放在气流的下游.上述研究结果对CVD工艺制备SiC涂层的优化具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	351	3778	28.0	39.0
2	孙国栋	长安大学材料科学与工程学院	5	37	3.0	5.0
4	付前刚	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	30	198	9.0	13.0
5	李辉	长安大学材料科学与工程学院	173	1257	17.0	28.0