TiO2和SiO2纳米掺杂聚酰亚胺复合薄膜的电学性能研究

• 作者: 梅金硕 殷景华 熊海安
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 光激电流法 纳米复合材料 电学性能 陷阱能级
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.05.007

摘要

采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜.研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法(PSD)表征两种纳米颗粒对PI复合薄膜陷阱能级的影响,通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨.结果表明:TiO2和SiO2纳米掺杂提高了PI的电导率和介电常数,介质损耗相应增加,耐电晕寿命明显提高,电气强度虽有所下降但仍满足实际需要.两种纳米掺杂都在PI基体中引入了大量的浅陷阱,PI/TiO2和PI/SiO2复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83~2.85 eV和2.13~2.83 eV,且SiO2纳米颗粒引入的浅陷阱密度低于TiO2纳米颗粒.在此基础上,通过陷阱理论分析了两种复合薄膜的耐电晕老化机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景华	哈尔滨理工大学应用科学学院	74	301	9.0	12.0
5	梅金硕	哈尔滨理工大学应用科学学院	11	30	4.0	4.0
6	熊海安	哈尔滨理工大学应用科学学院	1	4	1.0	1.0