SiC涂层石墨基座Pocket设计的研究

• 作者: 李西维 黄建明
• 来源期刊: 炭素
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD Pocket LED SiC涂层石墨基座
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 综合论述
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TB333
• 字数: 2756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn1001-8948.2017-02-007

摘要

通过设计用于MOCVD的多种Pocket规格的2”-54片的SiC涂层石墨基座,进行LFD外延生长得出Pocket台阶高度、Pocket底部形状与波长的关系,从而设计合适规格的量产SiC涂层石墨基座.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄建明		2	4	1.0	2.0
2	李西维		1	0	0.0	0.0