NEA GaN和GaAs光电阴极的比较

• 作者: 常本康
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN光电阴极 GaAs光电阴极 表面结构 光电流 偶极矩
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1073-1077
• 页数: 5页
• 分类号: TN14
• 字数: 2128字
• 语种: 中文

摘要

针对GaN基光电阴极激活过程中Cs-O交替存在的光电流的增幅问题,本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流.发现GaN的熔点高于GaAs,在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度;如果用双偶极子模型描述GaN(1000)和GaAs(100)表面的光电发射机理,GaN(1000)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs,几乎"平躺"在表面,对光电发射贡献不大;GaAs(100)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs几乎"垂直"于表面,降低了表面功函数,对光电发射贡献很大;Cs-O激活过程中,对于GaAs光电阴极,Cs、O交替过程形成的光电流与单纯Cs激活时的光电流相比,有几倍甚至上百倍的增长;GaN只提高了20%左右.通过第一性原理计算,与现在的GaN基(1000)面相比,GaN基的(1120)和(1010)面是极具潜力的光电发射面;预计闪锌矿GaN基(100)面会取得更好的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0