有机酸修饰ITO对OLED器件性能的影响

• 作者: 冯鹏 杨劲松 梅文娟 牛永鹏 胡俊涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 有机酸 表面能 功函数 OLED
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 16-20
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.01.004

摘要

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/ FIrPic:SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响.结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4 cd/m2提升至1 875.2 cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V.研究发现,有机酸处理能够改变ITO的表面能和功函数,一方面改变ITO和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ITO与有机层间的势垒,提升载流子注入.这种用有机酸修饰ITO阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ITO和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用.