化学助剂作用下银纳米线生长机制与尺寸控制的研究进展

• 作者: 堵永国 王震 雷博文
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 液相法 银纳米线 综述 化学控制剂 包覆剂 作用机制
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TG146.3+2
• 字数: 4712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.01.001

摘要

介绍了液相法制备银纳米线（AgNW）过程中常用的阳离子型控制剂、阴离子型控制剂和分子型控制剂三类化学控制剂对银纳米线尺寸的影响；阐述了不同种类化学控制剂的作用机理，总结了化学控制剂作用下银纳米线的形成机制，分别是：多孪晶颗粒单轴生长机制、溶解平衡机制、定向附着机制以及自组装机制；对液相法制备银纳米线过程中常用的高分子包覆剂的种类及作用机制进行了归纳；最后结合实际问题，分别指出化学控制剂与包覆剂在制备银纳米线时的优点与不足。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	堵永国	国防科学技术大学航天科学与工程学院材料科学与工程系	27	160	7.0	12.0
2	王震	国防科学技术大学航天科学与工程学院材料科学与工程系	6	25	3.0	4.0
3	雷博文	国防科学技术大学航天科学与工程学院材料科学与工程系	1	1	1.0	1.0